Científicos de la Universidad de Fudan, en China, presentan memoria flash 100 mil veces más rápida que la convencional
Un equipo de la Universidad de Fudan, en la ciudad china de Shanghái, presentó un dispositivo de memoria flash del tamaño de un grano de arroz que borra y reescribe datos en 400 picosegundos (0,0000000004 segundos), un intervalo en que la luz tan solo recorre unos 12 centímetros.
Denominado ‘Poxiao’, el dispositivo fue desvelado en la revista científica Nature esta semana y es el más veloz diseñado hasta la fecha, superando la rapidez de los sistemas convencionales de este tipo.
Con una velocidad de operación equivalente a 2.500 millones de ciclos por segundo, el nuevo dispositivo ofrece una velocidad 100.000 veces superior, frente a las decenas de microsegundos que requiere una memoria flash convencional.
La memoria flash es un sistema de almacenamiento digital no volátil basado en semiconductores: emplea chips de silicio sin partes móviles para retener datos incluso cuando el dispositivo está apagado. A diferencia de los discos duros magnéticos, las memorias flash —como las unidades USB— ofrecen accesos mucho más rápidos, menor consumo energético y mayor resistencia a golpes.
‘Poxiao’ abre la posibilidad de equiparar las velocidades de cálculo y almacenamiento en un único semiconductor, un paso decisivo para reducir la latencia en aplicaciones de inteligencia artificial (IA) y optimizar el consumo energético de centros de datos, uno de los desafíos que traen de cabeza al sector de la IA.
La innovación de ‘Poxiao’ radica en un mecanismo capaz de transferir electrones directamente a un estado de alta energía sin pasar por procesos previos de calentamiento.
Según los autores, esta estrategia supera los límites teóricos de la física de semiconductores clásica y redefine las fronteras de las tecnologías de almacenamiento actuales.
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Las memorias flash emplean transistores que retienen carga eléctrica para conservar la información sin suministro de energía, a diferencia de la SRAM (memoria estática de acceso aleatorio) y la DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio), que son volátiles y pierden los datos tras un corte de corriente.
Sin embargo, la velocidad de la memoria no volátil tradicional se ha visto restringida por la necesidad de modelar el campo eléctrico, lo que limita su uso en escenarios de alta demanda de acceso y modificación de datos.
Los prototipos de ‘Poxiao’, con capacidad de apenas kilobytes, resultan suficientes para validar el concepto. De acuerdo con la universidad, estos primeros chips ya han entrado en fase de producción a pequeña escala, lo que permite evaluar su rendimiento en entornos industriales y ajustar los procesos de fabricación para futuras ampliaciones.
Según el equipo responsable, el objetivo es escalar la tecnología hasta alcanzar decenas de megabytes en un plazo de cinco años y contar con licencias comerciales.
Con información de EFE
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